一、液晶显示器(LCD)用基板玻璃浅析（论文文献综述）
杜鹏[1]（2021）在《TFT-LCD玻璃基板隔层材料结构与性能的研究》文中研究表明TFT-LCD玻璃基板隔层纸作为薄膜晶体管液晶显示屏的专用隔层纸,在其储存和运输过程中起到分隔和保护作用,具有广阔的市场前景。本研究通过选择与优化配比浆料,提升纤维间结合力,赋予纸张良好的匀度、高抗张指数、透气度、挺度以及表面强度。又通过抄造系统p H值的调控,使隔层纸呈微酸性,确保纸张防霉性能的稳定性。通过烷基二甲基季铵盐（MSDS）抗菌剂的浆内添加,提升纸张的抗菌效果。另外,还要确保抄造环境清洁,满足TFT-LCD玻璃基板隔层纸无尘、无杂质及高洁净度的要求。最后,通过表面微涂工艺,控制纸张稳定的强度与透气度,保障纸张在使用过程中有较好的力学性能。按照针叶木浆:阔叶木浆:竹浆配比=2:1:7进行抄造时,纸张抗张指数为28.18 N·m·g-1,挺度达到18 m N,而粗糙度及透气度分别为937.25 ml·min-1和982mm·s-1（1.47 k Pa下）。当柠檬酸（CA）的用量为1-1.5 g/1 kg纸时,纸张的电导率和p H值较为适合,其浆料的p H值为5.9-6.2,纸张p H值为6.1-6.3,电导率为15-25 us/cm,同时CA的使用对纸张防霉效果具有增强作用。另外,洁净的环境以及优质的水源也是作为生产TFT-LCD玻璃基板隔层纸的重要要求。烷基二甲基季铵盐（MSDS）抗菌剂采用浆内添加的方式进行添加,当添加量为0.5-1 g时,不仅使纸张的强度以及透气度等力学性能得到稳定的的保持,还能赋予隔层纸优异的防霉抑菌性能。利用表涂纳米复合涂料,能够有效的提高纸张的挺度和透气性,提高TFT-LCD玻璃基板隔层纸力学性能。通过选用0.5%浓度的涂料且涂布量为0.5g/m2时,强度为32.46 N·m·g-1,相对于原纸增加了14.01%。纸张挺度增长至30m N,相对于原纸增长10 m N。且纸张的粗糙度与透气度分别达到725.75 ml·min-1和621.2 mm·s-1（1.47k Pa下）,纸张的拉毛速度达到2.4 m/s。对TFT-LCD玻璃基板隔层纸的力学性能的提高有明显的作用。
徐正兴[2]（2020）在《TFT LCD亮点缺陷改善研究》文中指出TFT LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器）是由具双折射性的液晶和具半导体特性的薄膜晶体管元件组成的显示器件。TFT LCD的生产工艺复杂且对制程精度、环境要求高,导致生产成本高,若生产中有不良产生将导致生产出的产品无法销售而造成大量损失。本论文通过科学的分析方法和精密的解析手法,对亮点不良进行分析,确定亮点的发生原因。科学的分析方法主要体现在对不良现象的精准描述,及对不良在面板上的坐标点位聚集性特征采用大数据分析来确定不良可能发生的站点。精密的解析手法体现在采用500倍及以上光学显微镜观察样品上不良的现象,采用电子隧道显微镜、电流电压量测仪、应力量测仪、傅里叶频谱分析仪等高精密设备对样品在微米级或微安培等微观上进行表征,找出亮点发生机理。生产线根据上述方法得出的结论,针对性的进行不良改善,如进行微米级别的微小异物的排查和管控,清洗参数的调整,设备易磨耗零件的重新设计更换等。但完全避免亮点是不可能的,所以针对已经发生亮点的面板在出货之前体检检测出来并进行维修也是有效降低亮点缺陷对产品造成成本损失的有效手段。在成盒制程完成后通过模拟点灯方式将面板点亮的进行画面检测筛选出有亮点不良的产品。通过研究亮点发生的成因,设计实验调整点灯参数,找到可以将亮点有效检测出的方法并应用于实际。亮点维修主要是将发生亮点的像素电极进行暗点化,即将亮点像素电与与阵列公共电极用激光熔接的方式进行导通,使得亮点像素会被阵列公共电极持续通电,与公共电极等电位而液晶不会被驱动,所以保持暗点状态,暗点通常不易被消费者察觉,对显示画面没有影响,所以暗点化是一种非常有效的修补方式。而在实践过程中,亮点的激光修补亦是有成功率的问题。本论文作者通过大量的企业实践总结经验,针对不同发生成因的亮点设计激光修补方法,便于产线操作员作业。同时针对系统性的亮点维修失败,进行真因理清,从机理上分析维修失败原因,实验论证改善方案,从根本上解决维修失败的问题,如成功解决将绿亮点修补成异物暗的问题,修补亮点后成碎亮点的问题,阵列长膜品修补失败的问题。
李振弘[3]（2020）在《TFT-LCD行业ITO和Cu/Mo薄膜刻蚀液性能研究》文中进行了进一步梳理薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）阵列制作中,由于ITO和Cu/Mo具有导电性高、材料成本低、对图形响应好等优点而得到广泛的应用。在TET-TCD的生产过程中,可控的精准刻蚀是一个非常重要的处理单元,一般要求刻蚀后薄膜锥角应在40°～60°之间,否则将造成产品不合格。目前,常用的ITO刻蚀液主要是由硫酸、硝酸和乙酸组成,Cu/Mo刻蚀液以双氧水和硫酸体系为主。不同薄膜及复合金属层的不同厚度均会增加准确控制刻蚀速率的难度。因此,开发性能优异的刻蚀液对ITO、Cu、Mo等金属薄膜片的生产具有重要意义。本实验通过相关的表征方法和电化学测试的方法,探究ITO、Cu、Mo在不同刻蚀液条件下腐蚀速率的变化情况,探究相应的腐蚀机理,以实现合格锥度角的稳定控制。通过控制变量法探究了单酸和混酸对ITO腐蚀结果的影响。试验结果表明,ITO刻蚀液中硫酸浓度提高更有利于锡的溶出,硝酸浓度提高更有利于铟的溶出,乙酸具有稳定酸度和缓冲溶液的作用。经过优化,最终确定ITO氧化薄膜刻蚀液的最佳配方为:硫酸（5%）、硝酸（16%）和乙酸（10%）。在金属铜和钼的腐蚀探究中,首先研究了金属铜和钼在双氧水和硫酸体系中的腐蚀速率。根据不同条件下的刻蚀结果,结合相关的XPS表征结果,发现双氧水和硫酸溶液共同存在是对金属铜和钼腐蚀的前提条件。双氧水的氧化性使金属表面形成氧化物,然后硫酸溶解金属表面的氧化物。考虑到双氧水的不稳定性,研究将硝酸代替双氧水,考察硝酸-硫酸溶液液对二种金属的刻蚀特性,发现硝酸与硫酸组成的刻蚀液能够高效稳定地对Cu/Mo薄膜刻蚀。在此基础上,对Cu/Mo复合金属层薄膜进行了刻蚀研究。通过调节刻蚀液不同组份的浓度来控制金属薄膜的腐蚀速率,以实现Cu/Mo薄膜的有效刻蚀。经过优化实验研究发现,双氧水/硫酸体系较优的配方为:双氧水5%～11%,硫酸1%～7%,磷酸二氢铵0.5%～2%,添加剂PSP 0.3%～1%范围值内。硝酸/硫酸体系的较优配方为:硝酸1%～7%,硫酸25%～35%,添加剂PSP 0.5%～2%范围内。优化后的二种刻蚀液均能使Cu/Mo玻璃基片腐蚀锥度角能够控制在要求范围之内。两者对比发现双氧水体系比硝酸体系刻蚀后的基板平面更干净无杂质粒子残留,而硝酸/硫酸体系刻蚀液更稳定便于保存。
崔佳莹[4]（2020）在《废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究》文中研究指明铟是一种重要的稀散金属资源,主要用于液晶显示器（LCD）中电极的生产。随着LCD生产量和废弃量的同步攀升,根据可持续发展的要求从废LCD中回收铟是大势所趋。目前,从废LCD中回收铟的方法较多,但仍然无法摆脱以浓酸浸出为主的工业生产模式。进一步地粗铟向商品级纯铟金属转化存在提纯成本高的问题,生物合成纳米颗粒的技术因具有合成环境中金属离子复杂的固有属性为铟的资源化回收技术提供了新的思路。针对当前废LCD回收过程中可商业化的绿色浸出技术匮乏、粗铟产物难以高值利用等问题,本论文探索黑曲霉浸出铟的方法及机理,明晰发酵液中有效化学成分为草酸,阐明草酸浸出铟的机理,模拟硫化镉建立硫化铟纳米颗粒的生物回收方法,深度挖掘生物合成硫化铟量子点的能力及应用潜力,形成废LCD中有价值材料处理与资源化回收工艺。论文的主要工作及研究成果如下:（1）构建黑曲霉浸出废LCD中铟的方法并阐明浸出机理。研究发现黑曲霉在不同方式下对铟浸出率的大小顺序为:发酵液浸出>分步浸出>同步浸出。降低初始p H、振荡速度和蔗糖投加量对黑曲霉发酵的影响为:发酵液p H值降低,无氧呼吸过程产生的羧基量升高,营养成分的氧化度提高,相应地将这三者分别从7.0、200 rpm、100 g/L优化为4.0、125 rpm和50 g/L,第15 d的发酵液在70℃下处理粉末90 min的铟浸出率从12.3%提升至100%。经与葡萄糖酸、柠檬酸、苹果酸比较后,草酸是黑曲霉生物浸出铟的最有效成分。（2）依据黑曲霉生物浸出的现象,解析草酸浸出废LCD中铟的性能优于无机酸的复杂反应机理。研究发现控制草酸浓度为0.5 M、浸出温度为70℃、粉末投加量为50g/L,反应45 min后,铟的浸出率能达到100%。根据阿伦尼乌斯模型,草酸浸出铟的反应活化能为43.622 k J/mol,表明反应速率主要受化学反应步骤和离子扩散步骤控制。超声空化作用有助于提高粉末处理量。氧化铟的溶解依赖于所分配的H+浓度。金属水解是酸浸体系中普遍存在的离子损失的负面现象。草酸在浸出过程中的优越性体现在通过维持合适的H+浓度,从而降低非目标金属对H+的竞争消耗、抑制浸出In3+的水解,并利用C2O42-沉淀去除钙、锶等金属杂质。（3）为了探索粗铟高值利用的新途径,结合硫化镉纳米颗粒生物合成的方法,研究大肠杆菌沉淀回收硫化铟纳米颗粒的可行性。利用基因编辑大肠杆菌代谢半胱氨酸形成S2-与体系中稳定分散吸附于蛋白质表面的In3+结合沉淀形成硫化铟纳米颗粒。所回收的硫化铟纳米颗粒平均粒径约为8 nm,对光的吸收峰为303 nm,禁带宽度为3.444 e V,小尺寸引发的量子限制效应明显,可用于污染物的催化降解。（4）进一步地探索粪肠球菌合成硫化铟量子点的方法及潜在应用。基于细菌对培养基中重金属的代谢解毒作用,以硫酸铟为铟源,粪肠球菌内源性缓慢代谢产S2-使吸附分散于体系中的In3+原位沉淀形成量子点,通过表面丰富的有机物稳定存在于水相中。合成的硫化铟量子点为3～5 nm的球形多晶结构,样品存在393 nm和460 nm两个荧光峰,在细菌体内的荧光性较好。经透析提纯后,硫化铟量子点的外观与水样无明显差异,这为生物源硫化铟量子点用于生物标记与荧光检测奠定了理论基础。（5）结合上述研究,针对废LCD中有价值材料偏光片、液晶、铟和玻璃基板开发高值化绿色回收工艺。建立偏光片层层剥离方法,使丙酮浸泡时间缩短至30 min以内,可同步回收偏光片和液晶,并且避免了对二者再利用特性的明显破坏。探究发酵液浸出铟的限制性因素,以低浓度草酸模拟生物浸出技术,通过响应曲面优化参数显着提升批处理量和处理效率,明确浸出渣中玻璃的可再利用性。此外,适配利用粗铟合成硫化铟纳米颗粒的技术可行性。最终形成有价值材料的绿色回收工艺流程。论文研究成果为废LCD中铟的浸出与资源化奠定了理论与技术基础,并为废LCD中有价值材料的回收工艺提供了指导性方案。
毕洪生[5]（2020）在《半脂环结构聚酰亚胺的制备及其液晶分子取向特性研究》文中认为作为薄膜晶体管驱动液晶显示器件（TFT-LCD）的重要组成部分之一,液晶取向膜性能的优劣将直接影响器件的显示品质。基于现有聚酰亚胺（PI）液晶取向膜的主流TFT-LCD,包括扭曲向列型（TN-LCD）和面内开关型（IPS-LCD）等显示器件在光电性能方面尚存在着诸多缺陷,如电压保持率（VHR）偏低、残留直流电压（RDC）偏高等。因此急需研制开发新型PI取向膜材料。本论文首先设计并合成了互为同分异构体的两种脂环二酐单体,3,3’,4,4’-双环己基四酸二酐（HBPDA）与3,4-二羧基-1,2,3,4,5,6,7,8-全氢萘-1-丁二酸酐（HTDA）。旨在通过脂环结构的引入提高PI树脂在有机溶剂中的溶解性,并通过降低电荷的转移作用而提高取向膜的VHR特性。其次,分别基于新研制开发的HBPDA与HTDA脂环二酐单体以及商业化芳香族二胺单体,聚合制备了两类可溶性PI（Soluble PI,SPI）树脂,HBPDA-PI与HTDA-PI。分别考察了脂环结构的引入对上述两类SPI树脂分子量以及溶解性能的影响。在此基础上,基于上述SPI取向膜装配了液晶盒。系统考察了SPI取向膜对液晶盒光电特性,包括VHR、RDC以及液晶分子预倾角（θp）的影响。结果表明,两类SPI取向膜均可赋予液晶盒良好的光学性能。其中基于HBPDA-PI取向膜的液晶盒的VHR>96%,RDC最低可达605 mV,θp<2o,透光率>97%（550nm波长）,具备了满足IPS-LCD应用需求的基础条件;而基于HTDA-PI取向膜的液晶盒的VHR>97%,RDC低达880 mV,θp>2o,透光率>97%（550 nm波长）,具备了满足TN-LCD应用需求的基础条件。最后,分别采用新研制开发的HBPDA-PI与HTDA-PI型SPI树脂与课题组先前开发的聚酰胺酸（PAA）型树脂进行复合,制备了“SPI+PAA”混合型取向膜,MPI-IPS与MPI-TN。装配的液晶盒表现出了优良的光电特性,其中基于MPI-IPS取向膜的液晶盒VHR为98.05%,RDC为170.2 mV;而基于MPI-TN取向膜的液晶盒VHR为98.33%,RDC为292.3 mV,均达到了实用化应用需求。
童强[6]（2020）在《RO（R=Ca，Mg，Sr，Ba）对电子基板玻璃理化性能影响作用规律与机理》文中提出电子基板玻璃是现今一种十分热门的材料,由于其良好的性能使其成为液晶显示器行业发展的重要原材料之一。电子基板玻璃主要分为两类,分别是含碱电子基板玻璃和无碱电子基板玻璃。含碱玻璃中的碱金属离子会严重影响显示器的显像性能和寿命且会造成产线的污染。相比之下,无碱玻璃不含有碱金属离子使其成为当前电子基板玻璃的主流配方。本文以碱土金属氧化物（RO）为切入点,采用高温熔融法制备了以RO为变量的无碱铝硼硅酸盐系统玻璃来研究电子基板玻璃的理化性能和混合碱土效应。本文通过不同测试手段和FTIR、NMR和XPS等方法分别对玻璃的物化性能和微观结构进行了表征,研究了 RO对玻璃理化性能的影响和分析其影响机理,并且对玻璃的内部结构进行模拟。本文得出的结论如下:（1）添加MgO和CaO玻璃样品的密度呈现出增大的趋势,原因为Mg2+和Ca2+半径小,填充于网络结构中的空隙使得结构更加紧密;添加SrO玻璃样品的密度前期增大的原因为Sr2+的相对原子质量较大会影响玻璃的平均原子质量增大,之后网络结构断裂从而使得密度出现降低的情况;添加BaO玻璃样品的密度先减少后增加,原因为Ba2+的半径过大使网络结构扩张导致密度下降,之后BaO提供游离氧,[BO3]逐步转化为[BO4]使得网络结构变得致密。（2）由于RO的断网作用,使得玻璃的硬度出现下降的趋势。添加相同含量RO玻璃样品的硬度由于半径的原因以MgO、CaO、SrO和BaO的顺序不断降低。（3）除了添加MgO的玻璃样品介电常数上下波动,其余均出现先上升后下降的趋势。其原因是阳离子原子核的正电荷会吸引O2-的电子云,使O2-最外层的电子云发生变形;O2-上过多的负电荷会对阳离子的电子云产生排斥作用,使电子云发生变形。以上两方面结合使得玻璃的介电常数发生变化。而Mg2+半径较小,电子与核联系紧密,电子云不易发生变形且Mg2+的极化力较小,不能使O2-最外层电子云发生较大变化,导致其极化率较低,因此介电常数变化不明显。（4）HF与玻璃不能生成保护膜阻止反应的继续进行使得耐酸性降低。同时,R2+的增多,促使反应向加剧侵蚀的方向进行。玻璃的耐碱性随着RO的增多而逐渐升高,组分中RO不断增多,在玻璃表面产生更多不溶于碱溶液的物质导致R2+无法移动到玻璃表面,阻止玻璃继续被侵蚀。玻璃的耐水性呈现出先升高后降低的趋势,除添加MgO的另外三组样品耐水性最后则升高。样品由于水化反应生成硅酸凝胶膜使得耐水性提高;之后由于桥氧不断被破坏形成非桥氧且[BO3]易被极性水分子的亲电子侵蚀而导致耐水性出现下降的情况;最后,其余三组样品耐水性升高的原因为[BO3]不断转化为[BO4],被极性水分子的亲电子侵蚀缓缓减弱。（5）MgO替换CaO的玻璃样品的硬度、介电常数和热膨胀系数均发生非线性变化且在k=0.5附近取得极小值。空位不匹配会使空位的性质发生变化导致硬度下降;玻璃网络结构中出现阻塞效应最终导致其介电常数的下降;用MgO替换CaO会使得[AlO4]单元的不对称性降低,结合镁离子与网络的相互作用较弱使得热膨胀变小。
赵聪聪[7]（2020）在《Al2O3、B2O3和SiO2对电子基板玻璃理化性能影响及机理研究》文中进行了进一步梳理电子基板玻璃是平板显示关键性基础材料,其生产技术难度大、产业附加值高。由于美国和日本公司严密技术封锁和产品垄断的影响,以及我国对电子玻璃的研究起步较晚等因素,目前我国平板显示产业仍处于初期发展阶段,而国外企业已经通过几十年的行业深耕和积累走在前列。但是国内巨大的市场要求我们必须打造具有自主知识产权的电子基板玻璃产品以及完整产业链,这就需要系统的理论基础作为支撑。本文以电子基板玻璃SiO2-Al2O3-B2O3-RO（R=Mg、Ca、Sr）系统为研究对象,研究了Al2O3/SiO2、B2O3/SiO2以及AlO3/B2O3三种不同组成配比分别对铝硼硅玻璃的化学稳定性、介电性能、热膨胀性能、维氏硬度和抗折强度等理化性能的影响。并结合MAS-NMR、FT-IR和XPS等结构测试手段对性能影响机理和网络结构的变化进行了探究。还研究SiO2、B2O3和Al2O3单因素组分改变对铝硼硅玻璃析晶性能的影响。本文得出以下结论:（1）关于玻璃微观结构,MAS-NMR光谱结果表明,Al3+全部以四配位状态存在,几乎没有检测到来自[AlO5]和[AlO6]的信号,这表明全部的Al3+都形成了[AlO4]基团。B3+则存在[BO4]和[BO3]两种配位状态,Al2O3含量减少有利于B3+形成四配位结构。通过分析FTIR测试结果,确定玻璃内部存在的官能团种类及相互之间的连接状态。在铝硼硅系统玻璃的红外测试结果中,793 cm-1位置属于铝氧四面体中的Al-O键伸缩振动。685 cm-1位置的吸收峰属于硼氧三角体中的B-O-B键弯曲振动。1090 cm-1处最强峰,为桥氧的伸缩振动,该处峰两侧的宽化属于Si-O-Al和B-O-Si吸收振动峰,其中1216 cm-1属于B-O-Si化学键的振动。450～500 cm-1之间的吸收峰为玻璃网络结构中桥氧的摇摆振动。（2）HF可以直接与玻璃进行反应,破坏网络骨架。B2O3和SiO2含量都会对耐酸性产生较大影响,其中B2O3大量增加,使玻璃内部层状结构增加,在F-侵蚀之后,容易成片脱落,从而使耐酸性降低。随着分别用Al2O3和B2O3替代SiO2,玻璃的耐碱性都呈现增加的趋势,但增加程度不同,原因是硼含量的增加导致玻璃结构解聚。当SiO2含量不改变时,样品在5%NaOH溶液中单位面积损失量在2 mg/cm2上下波动,表明玻璃的耐碱性与网络骨架中硅原子含量有很大关系。（3）当玻璃结构中碱土金属离子含量不变时,介电常数则取决于结构中不同极化率的O2-含量。玻璃组成中SiO2的减少,使整体极化率下降,介电常数减少。介电常数与铝硼比呈现负相关,由5.80降至4.95,介电损耗则是在Al2O/B2O3=1位置出现极小值1.2。B2O3含量的增加使玻璃结构变得疏松,碱土金属离子移动增加,导致电导损耗和结构损耗增加,本文玻璃样品的介电损耗在1.3～1.9之间。（4）热膨胀系数是玻璃组成及结构变化最直观的体现。B2O3/RO增大,玻璃网络结构过度解聚,热膨胀系数不断增加,玻璃转变温度、应变点温度则相应地降低。结合XPS测试结果发现,SiO2含量减少对桥氧数量影响较大。通过NMR分峰结果确定[BO3]和[BO4]在硼氧结构中各自所占比例,并据此对玻璃样品的结构和性能变化进行阐释。文中玻璃样品的热膨胀系数在30×10-7～39×10-7℃-1之间,AS2由于发生轻微析晶导致结果异常,玻璃转变温度在680℃～770℃之间变化。（5）玻璃的硬度和抗折强度与化学键键能有很大的关系。虽然B2O的增加不利于玻璃网络结构的紧密程度,但不断增加的B-O键能（806kJ）要远大于Si-O键能（445 kJ）,使抗折强度增加。SiO2作为最重要的网络骨架结果,对玻璃硬度影响较大。随着Al2O3不断替换SiO2,玻璃的硬度由657 kgf/mm2降至624kgf/mm2,呈现单调递减的趋势,但抗折强度则呈现单调递增的变化趋势。（6）组分中SiO2增加,玻璃的熔融温度升高,使析晶温度区间整体向高温区移动,析晶上限达到1175℃,不利于的玻璃生产操作,但玻璃样品结构的稳定性增加。增加Al2O3含量有利于玻璃的耐化性和力学等性能,但同时会使熔融变得困难,析晶温度升高且析晶倾向增大。对玻璃样品析出的晶体进行测试和观察,确定无碱铝硼硅系统玻璃中析出晶体种类为α-方石英。
常青[8]（2019）在《TFT-LCD窄边框手机显示屏的关键技术研究》文中指出Thin film transistor-liquid crystal display（TFT-LCD）is widely used in human lives,for example television,computer,automobile navigation,dash board and so on,especially in the field of mobile phone display.Because of the portable application of mobile phone and its extensive penetration in life,people’s sensory requirements for mobile phone display screen are becoming more and more strict,especially the demand for narrow boarder display.However the coating width and coating relative position of the sealant have certain limitations in traditional TFT-LCD process.The sealant width cannot be narrowed and the position of the sealant can be shifted inwards without limit,or it will cause quality problems of the display screen.It is true that cutting on sealant can narrow the border width of mobile phone display screen with 0.2 mm for each side.But with normal wheels it cannot meet the reliability and quality requirements of mobile phone display screen from the perspective of cutting mode and section effect.Thus it does not have the feasibility for mass production.Therefore,in order to realize cutting on sealant of TFT-LCD,this paper mainly studies the narrow boarder display of mobile phone in TFT-LCD from two key technical directions: cutting wheel selection and black matrix laser burning.Research about different cutting wheels down-selection on sealant.The key technical parameters of the cutting wheel are: cutter tooth shape,diameter（including inner diameter and outer diameter）,cutter wheel angle,Pitch number and cutter tooth depth.Common cutting-assisted process measures include: standing,special equipment for break,heating,ultrasonic,etc.This study selects the cutting-assisted process and the cutting wheel types for the on-sealant cutting process.Though the auxiliary measures improve the bending strength of conventional cutting process,it has been found through experiments that it helps a little on the on-sealant cutting process.In the study of the cutting wheel types for the on-sealant cutting process,there are 8 cutting wheels with different technical parameters were selected for testing.The pressure correction test was carried out one by one for each of the 8 cutting wheels,and the optimal set of pressure transverse direction was selected to compare with other remaining cutter wheels.The contrast items were: Rib mark penetration,section tooth retention and compression breaking effect.At the same time,quality reliability evaluation that includes PCT test,Peel Off test and Bending test is combined with the above results to select a tool wheel that meets the requirements.Research on on-sealant cutting of black matrix laser burning.In the existing design of the test product,on the basis of changing the sealant coating,it is still necessary to avoid the overlap of the PI coating and the sealant.The test samples are tested at the laser vendor to select the size of the spot and the number of scans.Finally the on-sealant cutting is performed using a conventional cutter wheel on the laser-shaping product.Through the comparison of various process indicators and reliability indicators including PCT test and Peel Off test and Bending test,it is concluded that the quality gap between the conventional cutting wheel cutting and the non-slip cutting products of the black matrix laser shaping rubber cutting products is different.In conclusion,by studying the selection of different cutter wheels for gel-cutting and applying them to the black matrix laser shaping,this paper finally realizes the gel-cutting of TFT-LCD with high quality and narrow borader,which lays a research foundation for the mass production of high-quality mobile phone display screens in the future.
韩娜,石丽芬,王萍萍,曹欣,刘灿,马立云[9]（2018）在《用于液晶显示器的低温多晶硅玻璃基板的研究现状及发展趋势》文中提出目前,电子信息产品应用广泛,液晶显示器是电子产品的必备元件。低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器（LTPS TFTLCD）因具有解析度高、响应速度快、能耗低、画质高、性能高等优势而成为继非晶硅之后的新一代有源矩阵液晶显示器。由于LTPS高温制程要求玻璃基板具有较高的应变点和软化点,对玻璃的实际生产提出较大挑战。目前LTPS玻璃基板市场集中度很高,技术基本被国外厂商垄断。因此,开发具有自主知识产权的LTPS玻璃基板具有突破性的意义。本文详细介绍了LTPS TFT-LCD用玻璃基板的组成、性能及制备方法,指出了玻璃基板制备的工艺难点。归纳了玻璃基板的国内外研究现状,分析了玻璃基板的发展趋势及应用前景,为我国自主研发生产LTPS TFT-LCD用玻璃基板提供参考。
邓力[10]（2018）在《国内外特种玻璃研发与应用新动态》文中提出随着计算机信息技术、激光技术、原子能技术和红外技术等高新技术的应用和发展,玻璃产业特别是特种玻璃产业的发展十分迅速,已被广泛应用于光学、航空航天、核工业、生物医学等重要领域。本文对当今国际玻璃市场上走俏的石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、特种浮法玻璃、透红外玻璃、耐辐照玻璃、特殊色散玻璃、透紫外玻璃等几种典型特种玻璃做了简介,同时介绍了我国特种玻璃的发展与现状的最新信息。
二、液晶显示器(LCD)用基板玻璃浅析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、液晶显示器(LCD)用基板玻璃浅析（论文提纲范文）
（1）TFT-LCD玻璃基板隔层材料结构与性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 TFT-LCD玻璃基板的现状及发展 |
| 1.2.1 TFT-LCD玻璃基板简介 |
| 1.2.2 TFT-LCD玻璃基板隔层纸 |
| 1.3 隔层纸在TFT-LCD玻璃基板中的应用 |
| 1.3.1 TFT-LCD玻璃基板隔层纸简介 |
| 1.3.2 TFT-LCD玻璃基板隔层纸研究进展 |
| 1.3.3 TFT-LCD玻璃基板隔层纸强度和挺度 |
| 1.3.4 TFT-LCD玻璃基板隔层纸防霉抑菌性能 |
| 1.3.5 TFT-LCD玻璃基板隔层纸洁净度 |
| 1.3.6 TFT-LCD玻璃基板隔层纸电导性能 |
| 1.4 论文研究的目的、意义及主要内容 |
| 1.4.1 论文研究的目的和意义 |
| 1.4.2 论文研究的内容 |
| 1.4.3 论文创新点 |
| 1.4.4 技术路线 |
| 第2章 TFT-LCD玻璃基板隔层纸的制备 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 实验药品及仪器设备 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 国外纸样性能分析 |
| 2.3.2 国外纸样纤维形态对比 |
| 2.3.3 国外纸样结构分析 |
| 2.3.4 浆料选择对纸张力学性能的影响 |
| 2.3.5 浆料配比对纸张力学性能的影响 |
| 2.3.6 TFT-LCD玻璃基板隔层纸结构分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 TFT-LCD基板隔层纸防霉抑菌与力学性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 实验药品及仪器设备 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.2.3 实验原理 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 浆料配比对纸张防霉抑菌性能的影响 |
| 3.3.2 系统pH值对纸张防霉抑菌性能的影响 |
| 3.3.3 系统pH值对纸张力学性能的影响 |
| 3.3.4 MSDS 对纸张防霉抑菌性能的影响 |
| 3.3.5 MSDS 对纸张力学性能的影响 |
| 3.3.6 纸张结构分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 表面微涂对TFT-LCD玻璃基板隔层纸性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 实验药品及仪器设备 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.2.3 实验原理 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 CNF的表征 |
| 4.3.2 不同浓度纳米复合涂料对纸张性能的影响 |
| 4.3.3 不同涂布量纳米复合涂料对纸张性能的影响 |
| 4.3.4 纸张防霉抑菌性能的影响 |
| 4.3.5 纸张结构的扫描电镜(SEM)分析 |
| 4.3.6 纸张红外光谱(FTIR)与热降解(TGA/DSC)分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新之处 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在校期间主要科研成果 |
| 一、发表学术论文 |
| 二、其它科研成果 |
（2）TFT LCD亮点缺陷改善研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 研究背景 |
| 1.3 液晶显示器的发展 |
| 1.4 TFT LCD面板的结构 |
| 1.5 研究意义 |
| 1.6 本论文研究内容 |
| 第二章 TFT LCD生产工艺及亮点发生原因分析 |
| 2.1 阵列工艺流程 |
| 2.1.1 GE工艺流程 |
| 2.1.2 AS、SE工艺流程 |
| 2.1.3 PV、ITO工艺流程 |
| 2.2 彩膜工艺流程 |
| 2.2.1 BM工艺流程介绍 |
| 2.2.2 RGB工艺流程介绍 |
| 2.2.3 PS、彩膜ITO工艺流程介绍 |
| 2.3 成盒工艺流程 |
| 2.3.1 配向膜喷印工艺 |
| 2.3.2 组立工艺 |
| 2.3.3 光配向工艺 |
| 2.3.4 切割和偏贴工艺 |
| 2.3.5 端子切割和包装工艺 |
| 2.4 亮点的检查和成因 |
| 2.4.1 亮点的检查 |
| 2.4.2 形成亮点的机理 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 亮点的分析和制程改善研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 亮点不良的分析方法 |
| 3.2.1 亮点不良的制程分析方法 |
| 3.2.2 亮点不良的解析方法 |
| 3.3 阵列制程亮点的改善 |
| 3.3.1 曝光制程亮点改善 |
| 3.3.2 PVD制程亮点改善 |
| 3.4 成盒制程亮点的改善 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 亮点检出率提升及亮点的维修 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 亮点的检出率提升 |
| 4.2.1 亮点漏检原因分析 |
| 4.2.2 亮点漏检改善 |
| 4.3 亮点的维修 |
| 4.3.1 亮点维修的机理 |
| 4.3.2 成盒激光修补机修补原理介绍 |
| 4.3.3 异物暗的问题 |
| 4.3.4 电压差造成亮点修补失败的问题 |
| 4.3.5 阵列长线修补造成的亮点问题 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附件 |
（3）TFT-LCD行业ITO和Cu/Mo薄膜刻蚀液性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题意义及背景 |
| 1.2 液晶显示简介 |
| 1.2.1 薄膜晶体管液晶显示器基本构造 |
| 1.2.2 液晶显示器显色原理 |
| 1.2.3 液晶显示器制造工艺简述 |
| 1.3 彩色滤光片简介 |
| 1.4 湿电子化学品在TFT-LCD制造中的应用概述 |
| 1.4.1 湿电子化学品简介 |
| 1.4.2 湿电子化学品在TFT阵列制造中的作用 |
| 1.5 本文研究的目的及安排 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验试剂与仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 ITO腐蚀实验方法 |
| 2.2.1 ITO离子腐蚀溶出实验 |
| 2.2.2 铟离子浓度测定 |
| 2.2.3 锡离子浓度测定 |
| 2.2.4 电阻法估算ITO刻蚀速率 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3 金属Cu腐蚀实验方法 |
| 2.3.1 金属Cu离子腐蚀溶出实验 |
| 2.3.2 金属Cu离子浓度测定 |
| 2.3.3 金属Cu腐蚀电化学测试实验 |
| 2.4 金属Mo腐蚀实验方法 |
| 2.4.1 金属Mo离子腐蚀溶出实验 |
| 2.4.2 金属Mo离子浓度测定 |
| 2.4.3 金属Mo腐蚀电化学测试实验 |
| 2.5 Cu/Mo金属薄膜玻璃基板材料的表征 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.5.2 X射线光电子能谱(XPS) |
| 第三章 ITO腐蚀研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ITO腐蚀实验方案及目标 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 实验结果与分析 |
| 3.3.2 硫酸、乙酸和硫酸、硝酸二元酸实验结果及分析 |
| 3.3.3 硫酸、硝酸和乙酸三元混酸实验结果与分析 |
| 3.3.4 电阻法估算腐蚀速率的结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 金属铜腐蚀研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金属Cu腐蚀实验方案及目标 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 双氧水稳定剂的初步探讨 |
| 4.3.2 金属铜的腐蚀实验结果与讨论 |
| 4.3.3 金属铜腐蚀电化学实验结果及分析 |
| 4.3.4 以硫酸为基础酸对金属铜的电化学实验探究 |
| 4.3.5 硫酸和硝酸对金属铜实验探究 |
| 4.3.6 金属铜的腐蚀机理研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 金属钼腐蚀研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 金属Mo腐蚀实验方案及目标 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 金属钼腐蚀的实验结果及分析 |
| 5.3.2 硝酸代替双氧水对Mo腐蚀的影响 |
| 5.3.3 金属钼的腐蚀机理 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 铜/钼复合金属层腐蚀研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 研究方案及目标 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 铜/钼复合金属时间-电流(i-t)曲线 |
| 6.3.2 刻蚀液对Cu/Mo玻璃样片的刻蚀表征 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 1 作者简历 |
| 2 攻读硕士学位论文期间获得学术成果 |
| 学位论文数据集 |
（4）废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 废LCD处理与资源化的研究进展 |
| 1.2.1 液晶和偏光片的处理 |
| 1.2.2 铟的提取与资源化 |
| 1.2.3 玻璃基板的资源化处理 |
| 1.3 黑曲霉生物浸出铟的理论依据 |
| 1.3.1 技术背景 |
| 1.3.2 黑曲霉浸出技术的研究进展 |
| 1.3.3 黑曲霉处理废LCD的技术难点 |
| 1.4 生物回收硫化铟纳米颗粒的理论依据 |
| 1.4.1 技术背景 |
| 1.4.2 生物合成金属硫化物纳米颗粒的研究进展 |
| 1.4.3 生物回收硫化铟纳米颗粒的技术难点 |
| 1.5 研究目的及意义 |
| 1.6 研究内容和技术路线 |
| 1.6.1 研究内容 |
| 1.6.2 技术路线 |
| 第二章 黑曲霉生物浸出废LCD中铟的方法及机理 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 材料与方法 |
| 2.2.1 实验材料与试剂 |
| 2.2.2 实验仪器设备 |
| 2.2.3 黑曲霉生物浸出铟体系的构建及优化 |
| 2.2.4 有机酸用于浸出废LCD中铟的评测 |
| 2.2.5 样品制备及分析测试方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 黑曲霉对铟浸出能力的表观分析 |
| 2.3.2 发酵液浸出方式的生化反应分析 |
| 2.3.3 发酵方式对酸产量的影响 |
| 2.3.4 有机酸浸出铟的有效性比较 |
| 2.3.5 讨论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 草酸浸出废LCD中铟的反应机理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料与方法 |
| 3.2.1 实验材料与试剂 |
| 3.2.2 实验仪器设备 |
| 3.2.3 不同因素对铟浸出率的影响实验 |
| 3.2.4 样品制备及分析测试方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 铟浸出率的动态变化 |
| 3.3.2 反应物质表征与分析 |
| 3.3.3 反应过程与机理 |
| 3.3.4 讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 大肠杆菌沉淀回收硫化铟纳米颗粒的方法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料与方法 |
| 4.2.1 实验材料与试剂 |
| 4.2.2 实验仪器设备 |
| 4.2.3 硫化铟的化学沉淀实验 |
| 4.2.4 模拟硫化镉体系回收硫化铟纳米颗粒 |
| 4.2.5 样品分析与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 In~(3+)和S~(2-)的结合沉淀分析 |
| 4.3.2 大肠杆菌供S~(2-)的表观证据 |
| 4.3.3 硫化铟纳米颗粒的表征 |
| 4.3.4 讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 粪肠球菌回收硫化铟量子点的原理及潜在应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 材料与方法 |
| 5.2.1 实验材料与试剂 |
| 5.2.2 实验仪器设备 |
| 5.2.3 回收体系的pH范围选取实验 |
| 5.2.4 硫化铟量子点回收体系构建 |
| 5.2.5 样品分析与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 量子点的荧光分析 |
| 5.3.2 量子点的形貌特征 |
| 5.3.3 硫化铟量子点的回收原理 |
| 5.3.4 量子点的应用潜力分析 |
| 5.3.5 讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 废LCD中有价值材料的绿色回收与资源化工艺 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 材料与方法 |
| 6.2.1 实验材料与试剂 |
| 6.2.2 实验仪器设备 |
| 6.2.3 偏光片与液晶的处理 |
| 6.2.4 铟的浸出与资源化回收 |
| 6.2.5 浸出玻璃残渣的形貌结构表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 废LCD中偏光片和液晶的快速回收机理 |
| 6.3.2 铟的浸出与资源化理论技术的实际应用分析 |
| 6.3.3 浸出残渣中玻璃的可再利用性分析 |
| 6.3.4 有价值材料的资源化回收工艺流程 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论、创新点与展望 |
| 一、结论 |
| 二、创新点 |
| 三、展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附表 |
（5）半脂环结构聚酰亚胺的制备及其液晶分子取向特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 缩写对照表 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 液晶显示技术发展概况 |
| 1.2 液晶显示器相关材料发展概况 |
| 1.3 液晶取向剂 |
| 1.3.1 TFT-LCD对聚酰亚胺(PI)液晶取向剂的性能要求 |
| 1.3.2 PI液晶取向剂的结构与组成设计 |
| 1.3.3 PI取向剂化学结构的演变 |
| 1.3.4 PI取向剂取向工艺的演变 |
| 1.4 聚酰亚胺液晶取向剂发展现状与存在的问题 |
| 1.4.1 PI取向剂的商业化进展 |
| 1.4.2 PI取向剂发展存在的问题 |
| 1.5 研究目标的提出 |
| 1.5.1 研究意义与研究目标 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 脂环族二酐单体的结构设计与制备研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 原料与试剂 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.4 单体合成 |
| 2.4.1 脂环二酐单体HBPDA的合成 |
| 2.4.2 脂环二酐单体HTDA的合成 |
| 2.5 结果与讨论 |
| 2.5.1 HBPDA的合成及结构表征 |
| 2.5.2 HTDA的合成及结构表征 |
| 2.6 小结 |
| 第3章 基于HBPDA的可溶性PI液晶取向剂的制备与性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 原料与试剂 |
| 3.3 测试与表征 |
| 3.4 液晶取向剂的制备 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.5.1 PI合成 |
| 3.5.2 热性能 |
| 3.5.3 光学性能 |
| 3.6 小结 |
| 第4章 基于HTDA的可溶性PI液晶取向剂的制备与性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 原料与试剂 |
| 4.3 测试与表征 |
| 4.4 液晶取向剂制备 |
| 4.5 结果与讨论 |
| 4.5.1 PI合成 |
| 4.5.2 PI取向膜热性能 |
| 4.5.3 PI取向膜光学性能 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 聚酰亚胺液晶取向剂的应用基础研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 MPI-IPS取向剂在IPS型 TFT-LCD中的应用基础研究 |
| 5.2.1 MPI-IPS取向剂的组成结构设计 |
| 5.2.2 MPI-IPS取向剂的制备与性能测试 |
| 5.2.3 结果与讨论 |
| 5.3 MPI-TN取向剂在TN型 TFT-LCD中的应用基础研究 |
| 5.3.1 MPI-TN取向剂的组成结构设计 |
| 5.3.2 MPI-TN取向剂的制备与性能表征 |
| 5.3.3 结果与讨论 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 论文主要创新点 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| (1)作者简历 |
| (2)攻读硕士期间发表的论文情况 |
（6）RO（R=Ca，Mg，Sr，Ba）对电子基板玻璃理化性能影响作用规律与机理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 电子基板玻璃简介 |
| 1.1.2 国内外电子基板玻璃的发展概况 |
| 1.2 电子基板玻璃概述 |
| 1.2.2 电子基板玻璃的要求 |
| 1.3 电子基板玻璃研究现状 |
| 1.3.1 电子基板玻璃微观结构的研究 |
| 1.3.2 电子基板玻璃性能的研究 |
| 1.3.3 发展趋势 |
| 1.4 研究意义、内容及创新点 |
| 1.4.1 研究意义及内容 |
| 1.4.2 创新点 |
| 2 电子基板玻璃的制备工艺与表征方法 |
| 2.1 电子基板玻璃的制备工艺 |
| 2.1.1 电子基板玻璃的组分设计 |
| 2.1.2 电子基板玻璃的熔制流程 |
| 2.2 电子基板玻璃实验原料及主要设备 |
| 2.2.1 电子基板玻璃实验原料 |
| 2.2.2 电子基板玻璃实验设备 |
| 2.3 电子基板玻璃的表征方法 |
| 3 电子基板玻璃的物理性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验设计 |
| 3.3 电子基板玻璃的基本物理性能表征 |
| 3.3.1 电子基板玻璃组成对玻璃密度的影响 |
| 3.3.2 电子基板玻璃组成玻璃硬度的影响 |
| 3.3.3 电子基板玻璃组成对玻璃介电常数的影响 |
| 3.4 电子基板玻璃的结构表征 |
| 3.4.1 电子基板玻璃组成对玻璃微观结构的影响 |
| 3.4.2 电子基板玻璃微观结构对物理性能的影响机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 电子基板玻璃的化学性能表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验设计 |
| 4.3 电子基板玻璃的基本化学性能表征 |
| 4.3.1 碱土金属氧化物对电子基板玻璃耐酸碱性的影响 |
| 4.3.2 碱土金属氧化物对电子基板玻璃耐水性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 电子基板玻璃中的混合碱土效应 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验设计 |
| 5.3 混合碱土效应对硬度的影响 |
| 5.3.1 不同CaO/MgO比对硬度的影响 |
| 5.3.2 不同种类碱土金属氧化物对硬度的影响 |
| 5.4 混合碱土效应对介电常数的影响 |
| 5.4.1 不同CaO/MgO 比对介电常数的影响 |
| 5.4.2 不同种类碱土金属氧化物对介电常数的影响 |
| 5.5 混合碱土效应对热膨胀系数的影响 |
| 5.5.1 不同CaO/MgO 比对热膨胀系数的影响 |
| 5.5.2 不同种类碱土金属氧化物对热膨胀系数的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（7）Al2O3、B2O3和SiO2对电子基板玻璃理化性能影响及机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1.绪论 |
| 1.1 液晶显示器(LCD)简介 |
| 1.2 课题研究背景 |
| 1.3 电子基板玻璃的要求 |
| 1.4 电子基板玻璃制备工艺 |
| 1.5 无碱铝硼硅玻璃的特点和研究进展 |
| 1.6 本课题的研究目的及意义 |
| 2.实验过程及方法 |
| 2.1 实验原料与技术路线 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 各个组分在基板玻璃中的作用 |
| 2.1.3 研究技术路线 |
| 2.2 玻璃样品的制备 |
| 2.2.1 实验配方设计 |
| 2.2.2 熔制工艺以及所用设备 |
| 2.3 玻璃试样性能及结构测试 |
| 3.组成对化学性稳定及电性能的影响研究 |
| 3.1 无碱铝硼硅玻璃NMR测试分析 |
| 3.1.1 Al~(3+)在玻璃结构中的配位状态 |
| 3.1.2 B~(3+)在玻璃结构中的配位状态 |
| 3.2 组成对玻璃化学稳定性的影响 |
| 3.2.1 组成对玻璃的耐酸性的影响 |
| 3.2.2 耐水性与反应机理 |
| 3.2.3 组成对玻璃耐碱性的影响 |
| 3.3 组成对玻璃介电性能的影响 |
| 3.3.1 A/B对玻璃介电性能影响 |
| 3.3.2 A/S对玻璃介电性能影响 |
| 3.3.3 B/S对玻璃介电性能影响 |
| 3.3.4 玻璃样品的其他电学性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 4.组成对物理性能的影响研究 |
| 4.1 无碱铝硼硅玻璃FTIR测试分析 |
| 4.2 组成对玻璃热膨胀性能影响 |
| 4.2.1 A/S对玻璃热膨胀系数的影响 |
| 4.2.2 B/S对玻璃热膨胀系数的影响 |
| 4.2.3 A/B对玻璃热膨胀系数的影响 |
| 4.3 组分对力学性能的影响 |
| 4.3.1 A/S对玻璃力学性能的影响 |
| 4.3.2 B/S对玻璃力学性能的影响 |
| 4.3.3 A/B对玻璃力学性能的影响 |
| 4.3.4 玻璃样品的其他力学性能测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 5.组成对析晶性能的影响 |
| 5.1 析晶简介 |
| 5.1.1 玻璃析晶的基本过程 |
| 5.1.2 玻璃析晶对工艺操作温度的影响 |
| 5.2 析晶实验设计 |
| 5.2.1 实验配方设计 |
| 5.2.2 析晶性能测试设备及方法 |
| 5.3 结果讨论 |
| 5.3.1 组成含量变化对玻璃析晶性能影响 |
| 5.3.2 晶体种类和形貌 |
| 5.4 本章小结 |
| 6.结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（8）TFT-LCD窄边框手机显示屏的关键技术研究（论文提纲范文）
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 薄膜晶体管液晶显示器简介 |
| 1.2.1 TFT-LCD的组成 |
| 1.2.2 TFT-LCD工艺的关键技术 |
| 1.2.3 TFT-LCD的显示原理 |
| 1.3 TFT-LCD显示屏窄边框研究的国内外动态 |
| 1.3.1 采用电极设计实现TFT-LCD显示屏窄边框研究 |
| 1.3.2 采用ODF液晶滴下与扩散技术实现TFT-LCD显示屏窄边框 |
| 1.3.3 采用ODF框胶涂覆技术实现TFT-LCD显示屏窄边框 |
| 1.3.4 采用MDL材料设计实现TFT-LCD显示屏窄边框 |
| 1.4 选题依据与研究内容 |
| 第二章 MDL工艺中带胶切割的技术研究 |
| 2.1 带胶切割实现TFT-LCD显示屏窄边框的工作原理 |
| 2.2 TFT-LCD显示屏不同切割方式的研究 |
| 2.2.1 激光切割 |
| 2.2.2 刀轮双面切割 |
| 2.2.3 刀轮单面切割 |
| 2.3 带胶切割工艺的全面评价方法 |
| 2.3.1 带胶切割工艺评价参数 |
| 2.3.2 带胶切割可靠性关键评价因素 |
| 2.3.2.1 弯曲测试 |
| 2.3.2.2 Peel Off测试 |
| 2.3.2.3 PCT测试 |
| 2.3.3 TFT-LCD其他可靠性评价因素 |
| 2.4 TFT-LCD显示屏窄边框工艺的局限性分析 |
| 2.4.1 ODF工艺局限性分析 |
| 2.4.2 二次切割工艺局限性分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于不同刀轮选型的带胶切割的研究 |
| 3.1 TFT-LCD刀轮切割的基本原理 |
| 3.2 TFT-LCD切割刀轮选型的理论研究 |
| 3.2.1 TFT-LCD切割刀轮的关键参数 |
| 3.2.2 带胶切割刀轮参数选型依据研究 |
| 3.2.3 TFT-LCD切割常见辅助分裂措施及其原理 |
| 3.2.4 TFT-LCD带胶切割刀轮选型结果 |
| 3.3 带胶切割对刀轮选型的研究 |
| 3.3.1 刀轮选型带胶切割测试样品准备 |
| 3.3.2 带胶切割测试样品结果汇总及分析 |
| 3.3.2.1 APIO系列刀轮实验结果及分析 |
| 3.3.2.2 新韩系列刀轮实验结果及分析 |
| 3.3.2.3 西伯尔系列刀轮实验结果及分析 |
| 3.3.3 工艺评价结果及分析 |
| 3.3.4 可靠性评价结果及分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于黑胶矩阵激光整形的带胶切割的研究 |
| 4.1 黑矩阵激光整形对实现带胶切割的理论分析 |
| 4.2 黑矩阵激光整形对带胶切割的研究 |
| 4.2.1 黑矩阵激光整形带胶切割测试样品准备 |
| 4.2.2 黑矩阵激光整形带胶切割测试 |
| 4.3 黑矩阵激光整形遇到的问题及解决办法 |
| 4.4 带胶切割测试样品结果汇总及分析 |
| 4.4.1 工艺评价结果及分析 |
| 4.4.2 可靠性评价结果及分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）用于液晶显示器的低温多晶硅玻璃基板的研究现状及发展趋势（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 LTPS TFT-LCD用玻璃基板 |
| 1.1 LTPS TFT-LCD用玻璃基板简介 |
| 1.2 LTPS TFT-LCD用玻璃基板组成 |
| 1.3 LTPS TFT-LCD用玻璃基板性能要求 |
| 1.4 LTPS液晶显示用玻璃基板的制备方法 |
| 2 LTPS液晶显示用玻璃基板国内外研究现状 |
| 3 LTPS液晶显示用玻璃基板的发展趋势及市场前景 |
（10）国内外特种玻璃研发与应用新动态（论文提纲范文）
| 0概述 |
| 1 几种特种浮法玻璃的发展 |
| 1.1 特种浮法玻璃 |
| 1.1.1 超薄浮法玻璃 |
| 1.1.2 超薄浮法玻璃生产工艺 |
| 1.2 大型飞机专用特种浮法玻璃 |
| 1.2.1 飞机风挡玻璃的特殊技术要求 |
| 1.2.2 国内外大型飞机风挡玻璃的技术发展状况 |
| 1.3 浮法透明微晶玻璃 |
| 2 硼硅酸盐玻璃 |
| 2.1 发展概况 |
| 2.1.1 硼硅酸盐玻璃性能与应用 |
| 2.1.2 硼硅酸盐玻璃的组成与特性 |
| 2.1.3 硼硅酸盐玻璃的熔制简介 |
| 2.2 采用浮法工艺生产高硼硅玻璃 |
| 2.2.1 高硼硅玻璃的主要性质及对比 |
| 2.2.2 高硼硅玻璃生产工艺技术简述 |
四、液晶显示器(LCD)用基板玻璃浅析（论文参考文献）
- [1]TFT-LCD玻璃基板隔层材料结构与性能的研究[D]. 杜鹏. 齐鲁工业大学, 2021(09)
- [2]TFT LCD亮点缺陷改善研究[D]. 徐正兴. 华南理工大学, 2020(05)
- [3]TFT-LCD行业ITO和Cu/Mo薄膜刻蚀液性能研究[D]. 李振弘. 浙江工业大学, 2020(02)
- [4]废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究[D]. 崔佳莹. 华南理工大学, 2020
- [5]半脂环结构聚酰亚胺的制备及其液晶分子取向特性研究[D]. 毕洪生. 中国地质大学(北京), 2020(08)
- [6]RO（R=Ca，Mg，Sr，Ba）对电子基板玻璃理化性能影响作用规律与机理[D]. 童强. 陕西科技大学, 2020(02)
- [7]Al2O3、B2O3和SiO2对电子基板玻璃理化性能影响及机理研究[D]. 赵聪聪. 陕西科技大学, 2020(02)
- [8]TFT-LCD窄边框手机显示屏的关键技术研究[D]. 常青. 电子科技大学, 2019(04)
- [9]用于液晶显示器的低温多晶硅玻璃基板的研究现状及发展趋势[J]. 韩娜,石丽芬,王萍萍,曹欣,刘灿,马立云. 材料导报, 2018(S2)
- [10]国内外特种玻璃研发与应用新动态[J]. 邓力. 玻璃与搪瓷, 2018(01)