Print

azo薄膜稳定性研究外文文献

问：为什么利用azo薄膜来代替ito导电薄膜
  1. 答：【ITO膜在LED中的作用】为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ITO是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。
    【ITO薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。
    建议自己下去查查资料
    这样的提问没有意义
问：求助AZO薄膜退火的问题，退火后面电阻反而升高
  1. 答：在高温下退火后，AZO非晶膜的原子重组，形成比较稳定的多晶结构，AZO薄膜的晶粒变大而且均匀，从而影响了导电性能使其增大。具体原理参照半导体物理的内容。
问：影响电阻薄膜稳定性的关键性因素有哪些？
  1. 答：薄膜电阻工艺流程中，溅射薄膜形成过程存在高能量，因此和其它薄膜类似，电阻薄膜形成过程中存在各种缺陷，而且其缺陷密度远多于相应的块材。这些缺陷对薄膜性能有重要影响。主要缺陷分为：
    结构缺陷：点缺陷（气隙）、线缺陷（位错）、面缺陷（晶界）
    杂质缺陷：存在杂质
    因为缺陷和杂质能够改变传导电子密度、引起载流子的散射，使得薄膜电阻率增加。所以对网状和连续电阻薄膜的电阻率及其温度系数有很大的影响 。
问：掺铝氧化锌（AZO）中的铝是指什么
  1. 答：这个铝指的是替位原子，就是铝取代锌的位置，AZO中假如形成氧化铝或者铝都会降低AZO的导电性能。可能我表述的不准确，对掺铝氧化锌薄膜来说，透明导电性是研究的主要方向，所以说降低电学性能就是电阻率升高。当掺过量Al原子时，过多Al原子聚集的境界，出现境界、引起晶格畸变、杂质堆积、破坏晶体结构，这些原因都会导致薄膜的电阻率升高。
问：掺铝氧化锌（AZO）中的铝是指什么
  1. 答：这个铝指的是替位原子，就是铝取代锌的位置，AZO中假如形成氧化铝或者铝都会降低AZO的导电性能。可能我表述的不准确，对掺铝氧化锌薄膜来说，透明导电性是研究的主要方向，所以说降低电学性能就是电阻率升高。当掺过量Al原子时，过多Al原子聚集的境界，出现境界、引起晶格畸变、杂质堆积、破坏晶体结构，这些原因都会导致薄膜的电阻率升高。

本文来源: https://www.lw53.cn/article/bd7a868188cf50a1d32ba9da.html